Cơ sở vật lý của công việc của từ tính. Cần điều khiển.
Ohoho, vì vậy tôi đã đến thay đổi cảm biến sảnhcần điều khiển của bạn - Trustmaster Topgun Afterburner II. Mặc dù thực tế là kinh nghiệm của "Runet" đã có sẵn, tôi sẽ nói với bạn một lần nữa, tôi nên làm gì :)
Về nguyên tắc, mọi thứ sẽ được thảo luận dưới đây áp dụng cho hầu hết mọi điều khiển, và không chỉ để thử nghiệm của chúng tôi.
Lịch sử của vấn đề
Nếu bất cứ ai trong bể, sau đó tôi giải thích: Hầu như tất cả các phím điều khiển, đặc biệt là những năm phát hành trước đây, được thực hiện trên cơ sở các điện trở lừa, mà, nhờ vào các tính năng thiết kế của họ, và thậm chí sử dụng tích cực hơn trong cần điều khiển nhanh chóng vào Dòng tên và quản lý máy bay không thoải mái, anh ta đã không vâng lời rus. Và sau đó nó được phát minh để sử dụng các cảm biến hội trường thay vì các điện trở cơ học. Các mô hình công nghiệp xuất hiện, nhưng chúng cực kỳ nhỏ. Và sau đó các thợ thủ công dân gian đã trở thành bàn tay của chính họ để làm lại các cảm biến của phím điều khiển hội trường. Và những cảm biến này có lợi cho các điện trở cơ học trong thực tế là chúng không có nhiều phần cơ khí nhất và không thất bại vì những lý do tương tự vì chúng hoạt động trên một từ trường nếu nó có thể được thể hiện.Cảm biến Magnetoelectric Hall đã nhận được tên của nó tên là E. Hall, Vật lý Mỹ, được mở vào năm 1879 một hiện tượng mạ kẽm quan trọng. Nếu chất bán dẫn, theo đó (dọc) chảy dòng, ảnh hưởng đến từ trường, thì có sự khác biệt ngang của tiềm năng (EMF Hall). Nói cách khác, cảm biến thay đổi điện trở tùy thuộc vào hướng và cường độ của từ trường. Điều này chúng ta sử dụng.
Đi
Đối với tất cả các thay đổi, chúng ta sẽ cần:
- Hai cảm biến Hall SS495 (A) hoặc SS496 (A)
- Hai nam châm neodymium.
- Hai ốc vít tự nhấn nhỏ
- Đấu dây để hàn
- Termoklay.
Vì vậy, đầu tiên phải chuẩn bị cần điều khiển. Bạn phải kéo điện trở và cắt ốc vít của chúng. Để làm điều này, hãy tháo nắp áp suất của lò xo bằng rus (nó sẽ di chuyển tự do, sẽ thuận tiện hơn để vặn mọi thứ trong tay của bạn), tháo 4 ốc vít của toàn bộ khối, thả dây từ điện trở và kéo các điện trở tự. Cũng cắt đứt nơi buộc chặt điện trở, chúng sẽ không còn cần nữa, bên cạnh đó, chúng sẽ can thiệp vào việc lắp đặt cảm biến và nam châm.
Chỉ cần nhất thiết, trước khi không ủng hộ các dây từ điện trở, tìm ra nơi chúng có thức ăn và trong đó dây tín hiệu (o). Tôi đã được hướng dẫn bởi hình ảnh bên phải, hóa ra là trung thành. Nhưng bạn không thể tin tưởng anh ta và tự kiểm tra: chúng tôi chạm vào một vạn năng thăm dò của dây trần, có sẵn trong cáp kết nối cần điều khiển với đầu nốiUSB - Đây là một nhà ở, và đầu dò khác chạm vào bất kỳ đầu ra cực đoan nào của điện trở nếu nó hiển thị +5V hoặc chỉ 5 v (Chà, có thể ít hơn một chút), sau đó bạn đã tìm thấy một dây điện và nếu khoảng 0V, thì đây là sự tiếp xúc của vỏ (-). Tiếp xúc thứ ba còn lại của điện trở và sẽ là tín hiệu.Sau khi bạn tìm ra nơi những gì dây, đã đến lúc hàn các cảm biến sảnh. Bán hết dây tín hiệu vào tiếp xúc tín hiệu của cảm biến, nhưng nguồn điện cho cảm biến hơi khác một chút. Những dây mà điện trở thức ăn có thể cắt khỏi vị trí của chúng
và sử dụng để cung cấp năng lượng cho cảm biến, đã bán chúng cho các danh bạ USB + và USB được chỉ định
Bây giờ thời gian kiểm tra đã đến. Chạy chương trình JoyTester, cắm phím điều khiển vào PC và, mang nam châm đến các cảm biến, hãy nhìn vào lịch trình trong chương trình. Nếu anh ta phản ứng với chuyển động của bạn với nam châm so với các cảm biến, thì bạn sẽ hàn mọi thứ đúng và chúng hoạt động.
Nam châm. Nó đã xảy ra rằng tôi không có ổ đĩa CD / DVD cũ, và khi tôi mua, tôi có nam châm tròn, nhưng nó không đáng sợ. Tôi buộc chúng thành ốc vít nhỏ (ngay trên mặt bên của mũ), rễ trước. Cần phải rút ngắn chúng, nếu không họ vặn vít quá sâu và ném các nút chuyển động trong cơ chế rus. Tôi cắn ra khỏi những không cần thiết trong các ốc vít bằng cách đặt đơn giản trên kim loại, tát búa lên chúng. Ngoài ra, bạn có thể thả sâu ra khỏi lỗ của trục, nơi bạn sẽ vặn ốc vít, vì Tôi hơi lơ lửng ở đó. Trong trường hợp nam châm hình chữ nhật, chúng tốt hơn để gắn trên "máy bay chính" của mũ, và vòng - ở cuối chiếc mũ (trong trường hợp của tôi). Sau khi vặn ốc vít, siết chặt nắp kẹp của rus mùa xuân cho đến khi nó dừng lại để rus trở nên theo chiều dọc nhất có thể.
Ở đây, thực sự, và đó là nó! Nam châm treo, các cảm biến được dán, hiệu chuẩn - bạn có thể trên bầu trời! Trên đùn, trong bất kỳ Airlimulator nào cũng có một thiết lập phần mềm của các trục, sẽ có thể xoay chúng theo tình huống.
Quả sung. 1. Sơ đồ kết nối của điện trở từ đến cung cấp năng lượng và tải, và là độc thân với RN; b - chênh lệch (nửa litost); B - chênh lệch trong sơ đồ cầu; G là một cây cầu MagnetorEvoyistor.
Để bù đắp sự mất ổn định nhiệt của một danh sách từ tính duy nhất, bạn có thể sử dụng nhiệt điện trở được chọn đặc biệt (TCC), được bật thay vì điện trở tải RN (Hình 1a).
Kết quả tốt nhất cho việc sử dụng các từ tính khác biệt (Hình 1b, c) và các cây cầu hệ thống từ tính (Hình 1g).
Để tăng cường và xử lý chính tín hiệu, "có thể tháo rời" từ điện trở từ, các mạch điện tử khác nhau, được thực hiện trên các bóng bán dẫn (Hình 2.) hoặc chip tích phân (Hình 3, 4), có thể được sử dụng. Trong bộ lễ phục. 2.Ma sơ đồ của thác đầu vào của thiết bị từ tính, được thực hiện trên từnetoresistor, được hiển thị.
Quả sung. 2. Đề án để chuyển đổi trên điện trở từ vào cascade bóng bán dẫn.
Khi tiếp xúc với mức độ từ tính từ của từ trường bên ngoài, tín hiệu ở đầu ra của chuỗi R1 - R2 thay đổi tỷ lệ đối với sự thay đổi trong cường độ từ trường và trong phần tuyến tính của các đặc tính đầu vào của bóng bán dẫn VT1. Chế độ hoạt động của bóng bán dẫn được đặt bởi điện trở R2. Mạch này sử dụng một bóng bán dẫn với hệ số truyền hiện tại tĩnh tối đa có thể (hơn 200).
Đề án (Hình 2B) được bổ sung bởi một thác chìa khóa trên bóng bán dẫn VT2, đắm chìm trên rơle K1.
Để tăng cường tín hiệu của các từ tính trong khi tạo các thiết bị từ mới hiện đại, nên áp dụng hầu hết để áp dụng các bộ khuếch đại hoạt động, bao gồm theo sơ đồ chuyển đổi loại điện áp kháng (PSN).
Là một phần của các thiết bị từ tính có độ nhạy cao, việc sử dụng các bộ khuếch đại công cụ tích hợp tiếng ồn thấp của loại AMR-04 và AMR-01 (thiết bị tương tự) hoặc ina118p (burrbrown) là hiệu quả nhất.
Tăng tính ổn định nhiệt của các thiết bị từ tính được đảm bảo bằng cách sử dụng bộ điều chỉnh nhiệt đặc biệt và các sơ đồ dinh dưỡng từ nguồn AC.
Trong bộ lễ phục. 3a làm ví dụ, các lược đồ và nhiệt ổn định của chế độ hoạt động của loại MagnetorEvator MagnetorEvator mỏng GMR Sat. Trong trường hợp này, việc khuếch đại tín hiệu có thể được thực hiện bởi bộ khuếch đại, sơ đồ được hiển thị trong hình. 3b.
Quả sung. 3. Đề án năng lượng và ổn định nhiệt của chế độ của hệ thống di truyền từ tính của màng T loại GMR C6 bằng cách sử dụng: A - PoMistor; B - Bộ khuếch đại tín hiệu.
Với giá trị của điện trở R6 \u003d 5k, hệ số tăng của sơ đồ như vậy là khoảng 18.
Trong bộ lễ phục. 4 và 5 là các lược đồ đơn giản nhất để kết nối từ chuyển tuyến đối với các bộ khuếch đại hoạt động và công cụ.
Quả sung. 4. Đề án khuếch đại tín hiệu của một cây cầu hệ thống từ tính màng mỏng được khuyến nghị bởi Siemens A. G.
Quả sung. 5. Đề án bao gồm cho một "Magnetorestor" nguyên khối "khác biệt, được khuyến nghị bởi Siemens A. G.
Trong bộ lễ phục. 5 cho thấy sơ đồ để bao gồm một điện trở từ "nguyên khối" khác biệt, được thiết kế để hoạt động trong một thiết bị để kiểm soát tốc độ quay của bánh răng.
Trong bộ lễ phục. 6 được đưa ra một sơ đồ để bao gồm một hệ thống từ tính màng mỏng của loại KMZ10, được thiết kế để đăng ký từ trường yếu.
Quả sung. 6. Đề án bao gồm từ Magnetorestor màng mỏng KMZ10, được thiết kế để đăng ký từ trường yếu.
Sơ đồ hiển thị trong hình. 6, đảm bảo các tính năng sau:
bồi thường độ nhạy của sự nhạy cảm Tùy thuộc vào nhiệt độ thông qua vòng phản hồi, bao gồm nhiệt điện trở kty 83-110;
Điều chỉnh offset với điện trở R8;
Điều chỉnh độ nhạy của mạch bằng điện trở đa rẽ r4.
Sơ đồ hiển thị trong hình. 7, nó có thể được sử dụng như trong một tuyến tính (chức năng DA1 dưới dạng bộ khuếch đại điện áp) và trong "Digital" (DA1 được sử dụng làm bộ so sánh). Các chế độ hoạt động được cài đặt bằng cách cắt xén điện trở R1 và R2.
Hình 7. Đề án bao gồm của cây cầu từ tính màng mỏng của NMS1001 được đề nghị bởi Honeywell.
Điện trở từ
Mục tiêu của công việc là: Làm quen với các nguyên tắc vật lý của hành động, công nghệ sản xuất, thiết kế và ứng dụng điện trở từ tính, điều tra các đặc điểm và thông số chính của chúng
Điện trở từ (Mr) – Đây là những linh kiện điện tử, hành động dựa trên sự thay đổi trong điện trở điện của chất bán dẫn (kim loại) khi tiếp xúc với từ trường. MP được sử dụng làm điện áp từ điện áp và cảm biến dòng điện, tốc độ và hướng quay, trong các thiết bị đọc thông tin trong máy tính, trong động cơ điện van, đồng hồ từ trường, v.v. MR cung cấp cơ học, điện, nhiệt gần như hoàn hảo, v.v. Nhầm lẫn các mạch đo và kiểm soát từ các đối tượng điều khiển. Chúng có tốc độ, độ nhạy, độ tin cậy, kích thước nhỏ và tiêu thụ năng lượng. Hiện đang được biết đến các thiên khối và phim từ tính.
Nguyên tắc hoạt động của MR MROOLITHIC dựa trên hiệu ứng từ tính được gọi là từ tính. Như đã biết, trong đĩa bán dẫn, chảy dòng, từ trường xảy ra EMF Hall (Hình 8.1.1)
E x \u003d k i b / b,
Ở đâu TÔI. - Dòng chảy dọc theo tấm, B. - Cảm ứng của từ trường, b.- Tấm wirina theo hướng vuông góc với dòng điện, K \u003d 1 / ne - Hệ số của hội trường, vảvà N. Theo đó, phí tiểu học của các hãng vận chuyển hiện tại và sự tập trung của chúng.
Khi thiết lập một trạng thái cân bằng động giữa lực Lorentz và sức mạnh của điện trường hội trường, các nhà mạng sạc có cùng tốc độ Ở v sẽ di chuyển dọc theo các quỹ đạo thẳng theo hướng dòng điện bên ngoài, trong khi vectơ của tổng trường điện được hướng đến vectơ hiện tại thông qua chất bán dẫn ở một góc độ φ. Góc của hội trường được xác định bởi công thức: tg \u003d e x / e \u003d u bỞ đâu u-sự di chuyển của các hãng vận chuyển. Với từ trường nhỏ và, do đó, các góc nhỏ của hội trường ≈ U B.
Khi thiết lập trạng thái cân bằng năng động, cường độ điện trường halolian bù đắp cho ảnh hưởng của lực Lorentz, và do đó, nó không cong quỹ đạo của các nhà mạng sạc có cùng tốc độ v. Có vẻ như, trong trường hợp này, sự kháng cự của chất bán dẫn không nên được thay đổi dưới tác động của từ trường.
Trên thực tế, các tàu sân bay trong chất bán dẫn phải chịu một sự phân phối tốc độ nhất định. Do đó, các chất mang có tốc độ vượt quá tốc độ trung bình và các chất mang có tốc độ nhỏ hơn so với mức trung bình, được chuyển sang các điểm khác nhau ở chế độ bên của tấm bán dẫn, vì chúng hành động trên độ lớn của Lorentz. Do đó, điện trở suất của chất bán dẫn trong từ trường thay đổi do độ cong của quỹ đạo của các nhà mạng điện tích di chuyển ở tốc độ khác với tốc độ trung bình.
Hiệu ứng từ tính lớn nhất có thể được lấy trong một chất bán dẫn một hình thức và thiết kế như vậy, trong đó sự xuất hiện của sự căng thẳng của hội trường của điện trường là khó khăn hoặc không thể. Những điều kiện này về mặt lý thuyết có thể được thực hiện trong một tấm bán dẫn với kích thước lớn vô hạn theo hướng vuông góc với cường độ điện trường bên ngoài. Trong một chất bán dẫn như vậy, không có sự tích tụ của các chất mang tính phí ở bên cạnh, EMF của hội trường không được hình thành và quỹ đạo sạc lệch khỏi hướng điện trường bên ngoài theo hướng của lực Lorentz (Hình . 8.1.2). Vectơ mật độ hiện tại trùng khớp theo hướng của các chất mang tính phí và do đó hóa ra là được dịch chuyển liên quan đến vector cường độ điện trường bên ngoài tại góc hội trường φ . Độ lệch của quỹ đạo của các chất mang tính phí trong một chất bán dẫn không giới hạn tương đương với sự giảm chiều dài của đường dẫn chất sạc miễn phí theo hướng điện trên điện,
đây L 0.- chiều dài của phạm vi miễn phí của các chất mang tính phí trong trường hợp không có từ trường, Như l- Hình chiếu của con đường sạc được truyền bởi người vận chuyển giữa hai cuộc đụng độ liên tiếp với sự hiện diện của một từ trường thành hướng của điện trường bên ngoài. Tại các góc nhỏ Cos Hall φ có thể bị phân hủy liên tiếp
cos. φ = 1- Φ 2/2! + ...
sau đó L l 0 - l 0 + l 0 φ 2/2, và do đó ≈l ≈ l 0 φ 2/2.
Kể từ khi chạy miễn phí, nhà mạng điện tích vượt qua trong một từ trường một cách nhỏ hơn dọc theo điện trường , Điều này tương đương với sự giảm tốc độ trôi và di động và do đó, độ dẫn cụ thể của chất bán dẫn., Thay đổi tương đối trong điện trở suất là cùng một lúc. (ρ - 0) / ρ 0 \u003d L / L 0 \u003d U 2 B 2/2.
Cho giới hạn bởi tinh thể bán dẫn của nó, tỷ lệ là đúng Δρ / ρ 0 \u003d c U 2 B 2Ở đâu TỪ - Hệ số tùy thuộc vào hình dạng của tấm bán dẫn.
Gần đây, một bộ phim MR phim đã được phân phối, yếu tố nhạy cảm từ tính trong đó phục vụ một bộ phim sắt từ (hợp kim niken với coban hoặc niken và sắt). Hoạt động của bộ phim MR dựa trên hiệu ứng từ tính bất tử, bao gồm thực tế là từ trường bên ngoài thay đổi trong vật liệu sắt từ có khả năng phân tán các electron theo các hướng khác nhau, do đó, dẫn đến sự thay đổi điện trở điện.
MagnetorEvistor được gọi là điện trở bán dẫn, điện trở điện phụ thuộc vào cường độ từ trường .
Nguyên tắc hoạt động của các từnetoresistors dựa trên hiệu ứng từ tính hoặc hiệu ứng Gauss. Bản chất của hiệu ứng này là khi dây dẫn hoặc chất bán dẫn được giới thiệu, thông qua đó dòng điện dòng điện, mức kháng cự của nó thay đổi đối với từ trường. Kể từ khi căng thẳng của điện trường, xảy ra trong chất bán dẫn với dòng điện với sự hiện diện của từ trường, làm giảm hiệu ứng từ tính, thiết kế của MagnetorEvator phải được giảm hoặc loại bỏ hoàn toàn phòng EMF.
Hình dạng tốt nhất của từ tính là Đĩa koborno. (Hình 1.8) . Trong trường hợp không có từ trường, dòng điện trong một từ tính như vậy được truyền theo hướng xuyên tâm từ trung tâm của đĩa đến điện cực thứ hai, nằm xung quanh chu vi của đĩa hoặc ngược lại. Dưới tác động của từ trường, các chất mang tính phí lệch theo hướng vuông góc với bán kính. Vì không có khuôn mặt nào có thể xảy ra, hội trường EMF trong một từ tính như vậy không xảy ra.
Sự thay đổi tương đối trong điện trở suất của đĩa Kobrino được làm từ chất bán dẫn độ dẫn hỗn hợp được xác định từ biểu thức:
trong đó ε là tỷ lệ di động điện tử để lỗ di động; ν là tỷ lệ nồng độ electron đến nồng độ lỗ.
Một thiết kế khác của điện trở từ là một tấm bán dẫn, chiều rộng của đó nhiều hơn nhiều so với chiều dài của nó. Tuy nhiên, nhược điểm thiết yếu của điện trở từ của một thiết kế như vậy là mức kháng cự nhỏ của nó, để tăng mà hợp chất tuần tự của một số từ tính được sử dụng hoặc các tấm bán dẫn dải kim loại trên bề mặt. Mỗi phần của tấm bán dẫn giữa hai sọc kim loại là một điện trở từ xa riêng biệt. Nó cũng có thể giả định rằng các dải kim loại thực hiện vai trò của các shunt làm giảm hội trường EMF, phát sinh trên các tấm bán dẫn bên.
Các vật liệu bán dẫn chính cho điện trở từ là Intimonid Ấn Độ INSB và Ấn Độ Inas Arsenide - Vật liệu có tính di động lớn của các nhà mạng.
Hiệu ứng Gauss tối đa trong vật liệu bán dẫn với khả năng di động lớn của các chất mang hiện tại, nhưng các vật liệu như vậy có điện trở suất thấp, do đó, để tăng khả năng chống điện trở ohmic, chúng phải được thực hiện dưới dạng các sợi mỏng. Một ví dụ có thể là "bismuth xoắn ốc" của các từ tính được sử dụng để đo các từ trường mạnh.
Các đặc điểm chính của MagnetorEvors là: kháng cự ban đầu (R 0 \u003d 0,1 - 8 ohms), nhạy cảm (R b / r 0) trong trường với cảm ứng b \u003d 10 kgf, nhiệt độ hoạt động , dòng điện tối đa và tản năng tối đa .
Đặc điểm chính của từnetoresistor là giá trị của điện trở đến từ trường hoặc độ nhạy (Hình 1.9). Trong các từ trường yếu, sự gia tăng của điện trở của các từnetesistors tỷ lệ thuận với hình vuông của cường độ trường, và trong độ mạnh - tuyến tính phụ thuộc vào độ lớn của cường độ từ trường (H).
Từ tính, tùy thuộc vào phương pháp sản xuất, được chia thành pha lê và phim. Crystal Magnetoretors có những ưu điểm sau: Độ nhạy cao và ổn định, độ tin cậy, dễ sản xuất, tuổi thọ dài, dòng tải lớn. Nhờ những lợi thế này, các từ tính tinh thể đã rộng hơn phim.
Khu vực ứng dụng
Có nhiều cách để xây dựng bộ khuếch đại và máy phát điện trên các từ tính. Tính năng đặc trưng của chúng là sự đơn giản của các cấu trúc và khả năng sử dụng các nguồn điện áp thấp. Ngoài ra, điện trở từ được sử dụng khi tạo
Từ tính. là một điện trở bán dẫn, tài sản chính của đó là khả năng thay đổi điện trở điện dưới tác động của từ trường . Hiệu ứng từ tính, hoặc hiệu ứng Gauss là thay đổi độ dẫn cụ thể của chất bán dẫn khi từ trường ảnh hưởng đến nó được thay đổi. Tấm bán dẫn được đặt trong một từ trường ngang bên ngoài và dòng điện được truyền dọc theo nó. Hành động của lực lượng Lorentz gây ra độ cong của quỹ đạo vận chuyển điện tích và dẫn đến sự giãn nở của đường dẫn có thể vượt qua bởi các chất mang giữa các điện cực, mà một trường điện bên ngoài được áp dụng, tương đương với việc tăng sức đề kháng của chất bán dẫn . Sự gia tăng điện trở của chất bán dẫn xảy ra và khi từ trường được định hướng vuông góc với hướng của dòng điện dòng điện, và khi hướng của từ trường song song với hướng hiện tại. Trong trường hợp đầu tiên Chúng tôi đang đối phó với tác động ngang của từ tính, đã nhận được ứng dụng thực tế. Trường hợp thứ hai. Đeo tên của tác dụng dọc của từ tính. Nó không tìm thấy ứng dụng thực tế do sự thay đổi điện trở yếu trong từ trường. Từ tính có thể được định nghĩa là sự khác biệt giữa điện trở từ của điện trở từ trong từ trường của RV và không có từ trường (điện trở ban đầu). Điện trở ban đầu r0 được xác định bởi vật liệu và cấu trúc được sử dụng. Các yếu tố ảnh hưởng đến từ tính bao gồm hình học của tấm bán dẫn, nồng độ và khả năng vận động của các hãng
Nó được thiết lập rằng phép từ hóa tăng lên với tỷ lệ độ dài xếp hạng giảm theo chiều rộng của nó. Con đường càng lâu của người vận chuyển điện tích trong chất bán dẫn mà không va chạm với các hạt khác, dòng phương tiện truyền thông càng lớn. Điều này có nghĩa là khả năng di động của điện tử trong chất bán dẫn đóng vai trò quan trọng để tăng sức đề kháng. Do đó, khi sử dụng hiệu ứng từ tính, vật liệu đặc trưng bởi tính di động điện tử cao thường được sử dụng nhiều nhất.
Một trong những đặc điểm chính của điện trở từ là mối quan hệ rb \u003d f (b). Sự phụ thuộc này (Hình 7) ở cảm ứng từ thấp là bậc hai so với B và với tuyến tính lớn.
Các đặc điểm của điện trở từ đều phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ.
Sự phụ thuộc của điện trở kháng từ từ cảm ứng của một từ trường bên ngoài ở các nhiệt độ môi trường khác nhau được thể hiện trong hình. 9. Như có thể thấy từ hình, với sự gia tăng cảm ứng từ 0 đến 1T, điện trở ở nhiệt độ bình thường thay đổi khoảng 6-12 lần. Do đó, khi sử dụng từ tính trong phạm vi nhiệt độ rộng, cần phải cung cấp để bù nhiệt độ cho đặc điểm của chúng.
Điện trở từ được sử dụng chủ yếu trong các thiết bị đo; Để đo cảm ứng từ tính, sức mạnh, như một máy phân tích hài hòa. Điện trở từ cũng được sử dụng trong các sơ đồ nhân đôi tần số, bộ chuyển đổi DC sang biến, trong các lược đồ bộ khuếch đại và bộ tạo.
Từ tính cũng được sử dụng làm yếu tố nhạy cảm của các công tắc không tiếp xúc, cảm biến dịch chuyển tuyến tính, chiết áp không tiếp xúc và trong nhiều khu vực công nghệ điện tử khác.
Các đặc điểm đo lường chính của các từ tính là điện trở ban đầu r0, nằm trong phạm vi từ phần ohm đến hàng chục kiloma, và độ nhạy từ tính sb \u003d dr / db. Thông thường, sự phụ thuộc của δRB / R0 \u003d F (B) được sử dụng để mô tả các bộ chuyển đổi từ tính, trong đó δRB \u003d RB-R0. Hệ số nhiệt độ của điện trở của điện trở từ (TKS) phụ thuộc vào thành phần của vật liệu, cảm ứng và nhiệt độ từ tính. Độ nhạy của điện trở từ càng lớn, TKS của nó càng lớn. Các giá trị TKS của các loại từ tính khác nhau có giới hạn 0,0002-0,012 K-1.