Сучасний ринок комп'ютерних комплектуючих розвивається настільки стрімко, що навіть просунуті користувачі не встигають зрозуміти, у чому різниця тієї чи іншої технології, як з'являється нова. Така сама ситуація з модулями оперативної пам'яті. Нещодавно ще всі обговорювали переваги "трійки" перед стандартною "двійкою", як уже з'явилася і "четвірка", і покращена "трійка" з літерою L. дуже підкована у цій темі людина. Але потрібно розібратися, яка різниця між DDR3 та DDR3L. Почнемо з витоків.

Суть стандарту DDR3

На відміну від застарілої "двійки" у третій версії ємність мікросхем збільшена. Тепер він становить 8 біт. Не могло б не позначитися позитивно на продуктивності. Також зріс мінімальний обсяг модулів – тепер він становить 1 гігабайт. Менше просто неможливо. Різниця між DDR3 та DDR3L, яку ми розглянемо трохи нижче, несуттєва. Тут більше різниці між "двійкою" та "трійкою". І вона помітна неозброєним оком. До речі, і енергоспоживання знизилося, що зробило цей тип пам'яті найбільш підходящим для мобільних комп'ютерів (ноутбуків).

"Трійка" - стандарт далеко не новий. Тому особливо радіти тут нема чому. DDR4 набагато продуктивніше. Проте саме цей тип пам'яті найбільш поширений у наш час. DDR3 і DDR3L, різниця в яких не така істотна, - однотипні модулі. Але розібратися в тому, що їх відрізняє, варто хоч би для самоосвіти. Що ж, тепер розглянемо параметри "трійки" з літерою L.

DDR3L. Що нового?

По суті, у пам'яті все стандартно. Як у звичайній "трійці". Але є одна істотна відмінність – енергоспоживання. У 3L воно дорівнює 1,35 В. Для порівняння, звичайна "трійка" споживає 1,50 В. Це дуже істотно, якщо говорити про ноутбуки, нетбуки та ультрабуки, тобто про мобільні комп'ютери. У разі енергоспоживання грає вирішальну роль, оскільки їм потрібно досить тривалий час працювати від акумулятора. Цим і відрізняються DDR3 та DDR3L. Різниця не така вже помітна, але суттєва.

Останнім часом виробники мобільних комп'ютерів використовують лише енергоефективні модулі "трійки". Тому стало можливо змусити ноутбуки працювати від батареї довше, ніж раніше. Хоча показники не надто й відрізняються. DDR3 і DDR3L, різниця в яких тут розглядається, на даний момент найприйнятніші варіанти для персональних комп'ютерів та ноутбуків. Тепер розглянемо найпопулярніші моделі.

Kingston 4GB DDR3 PC3-10600

Цей модуль чудово підходить для ноутбуків середнього цінового сегмента. Він працює на частоті 1333 мегагерц, робоча напруга становить 1,35 В. Це і DDR3, і DDR3L, різниця між якими не особливо суттєва, в одному флаконі. Обсяг даної оперативної пам'яті становить 4 гігабайти, що цілком достатньо для роботи та графічних додатків. Мультимедіа теж працюватиме чудово. Цей модуль виглядає ідеальним за співвідношенням "ціна-якість".

Як завжди, Kingston радує користувачів швидкою та якісною оперативною пам'яттю. Але не варто забувати і про практичність. Справа в тому, що ця оперативка стоїть досить пристойно, порівняно з її технічними характеристиками. Тому її покупка є сумнівною з погляду практичності. Потрібно двічі подумати перед тим, як купувати цей модуль пам'яті. А в іншому - це чудова і довговічна оперативність, яких мало на сучасному ринку.

Samsung 4GB DDR3 PC3-12800

Ще один модуль із самого середнього цінового сегмента. Ця оперативна пам'ять працює вже на частоті 1600 мегагерц і навіть може використовуватися для ігор. Особливо продуктивний тандем із двох модулів такої пам'яті. Є "планки" DDR3 і DDR3L, різниця між якими є. Як і вся техніка цієї компанії, модулі пам'яті відрізняються високою якістю та неперевершеною надійністю. В даний час це одні з кращих модулів на сучасному ринку комп'ютерних комплектуючих.

Компанія Samsung добре відома якісними смартфонами та іншими пристроями. Але ось модулі оперативної пам'яті її фахівці могли б зробити краще. Вони немає і тіні легендарного корейського якості. Але працює пам'ять добре. Хоч і не виглядає особливо міцною чи надійною. До речі, вона дуже болісно переносить розгін. Аж до найсумніших наслідків. Тож піддавати її подібній процедурі не варто. Отже, продовжимо. DDR3L та DDR3. Яка різниця між ними?

Crucial 4GB DDR3 PC3-12800

Ще один бюджетний модуль оперативної пам'яті стандарту 3L. Його робоча частота становить 1600 мегагерц. Робоча напруга – 1,35 В. Це стандартно для енергоефективної пам'яті. Більш нічим визначним цей модуль пам'яті не відрізняється. Ось тільки в двоканальному режимі він працює набагато краще за своїх попередників. Два такі модулі здатні помітно підняти продуктивність будь-якого лептопа. І в цьому їхня головна заслуга. Коштує ця недорого. Тому вона і є найпоширенішою.

Це є легендарний виробник модулів оперативної пам'яті. Усі пам'ятають його високопродуктивні моделі для геймерських комп'ютерів. Але й у бюджетному сегменті Crucial не вдарили у бруд обличчям. Модулі вийшли продуктивними, надійними та енергоефективними, що важливо для власників ноутбуків. Приємно, що легендарний виробник нарешті розвернувся обличчям до любителів лептопів.

Висновок

Отже, ми розглянули типи пам'яті DDR3 та DDR3L. Різниця в них хоч і неістотна, але є. І якщо ви коли-небудь захочете змінити у своєму ноутбуці оперативну пам'ять, то обов'язково купуйте енергоефективний тип. Сьогодні будь-який виробник комп'ютерних комплектуючих виготовляє таку оперативну пам'ять. Вище перераховані найпопулярніші та найнадійніші моделі. Але ж це далеко не все.

Оперативний пристрій, або ОЗУ, - це мікросхеми для оперативного або тимчасового зберігання інформації. Інформація в ОЗУ зберігається, поки мікросхему подається харчування. При відключенні живлення інформація втрачається. Введи текст

В англомовній технічній літературі такі пристрої називають RAM – Random Access Memory, або пам'яттю довільного доступу.

Статичні та динамічні ОЗУ

Існує два типи ОЗУ:статичні та динамічні.

Елементарним осередком статичного ОЗУ є тригер. Тригер складається з двох транзисторних ключів, включених назустріч один одному так, що зі стану взаємно протилежні – коли відкритий один ключ, другий закритий та навпаки. Без зовнішнього сигналу перемикання ключі залишаються в незмінному стані, поки на тригер подається живлення. Для реалізації тригера необхідно як мінімум два транзистори на кристалі.

Елементарним осередком динамічного ОЗУ є конденсатор. Заряджений конденсатор зберігає 1, розряджений - 0. В якості конденсатора, що запам'ятовує, можна використовувати власну ємність затвора польового транзистора, таким чином, з'являється можливість реалізувати комірку пам'яті всього на одному транзисторі. Більш висока щільність розміщення осередків пам'яті на кристалі та визначила використання динамічної пам'яті для побудови ОЗУ великого обсягу.

Конденсатор поступово втрачає свій заряд, тому його необхідно підтримувати у зарядженому стані, або< как говорят - регенерировать. Поэтому в динамической памяти, кроме обычных операций чтения и записи, появляется еще и операция регенерации.

Типи динамічних ОЗУ

Спочатку і статичні та динамічні пристроїбули асинхронними, тобто не вимагали своєї роботи тактової частоти. Швидкодія була приблизно однаковою і єдиною істотною відмінністю була необхідність регенерації в динамічних ОЗУ. Згодом швидкодія транзисторних ключів зростала, а швидкодія динамічної пам'яті обмежувалося тим, що заряд і розряд конденсатора, що запам'ятовує, вимагає певного часу. Динамічна пам'ять почала відставати від статичної.

Розробникам динамічної пам'яті довелося вдатися до ускладнення своїх мікросхем. Мікросхеми динамічної пам'яті отримали на кристалі досить складну обв'язку та пристрій управління, для роботи якого потрібна подача тактової частоти. Динамічні ОЗУ стали синхронними та отримали назву SDRAM – Synchronous Dynamic RAM.

За рахунок різних схемотехнічних хитрощів ефективна швидкодія SDRAM стала перевищувати пропускну спроможність шини пам'яті та шина стала вузьким місцем. Зазвичай у синхронних пристроях передача інформації відбувається по певному фронту синхроімпульсу - передньому (наростаючому) або задньому (спадаючому). З'явилися мікросхеми DDR SDRAM, у яких на відміну від звичайних SDRAM передача інформації по шині здійснюється як по обох напрямках синхроімпульсу. Це дозволило збільшити пропускну здатність шини пам'яті вдвічі. DDR означає Double Data Rate, або подвоєну швидкість даних.

Технологія DDR розвивалася та з'явилися нові покоління цих пристроїв, спочатку DDR2, потім DDR3. Останнім поколінням на сьогоднішній день є DDR4, але воно ще не набуло широкого поширення і найпоширенішим типом залишається DDR3.

Огляд оперативної пам'яті DDR3

DDR3 SDRAM означає синхронну динамічну пам'ять третього поколінняз подвоєною швидкістю передачі шиною даних. Пам'ять випускається як модулів - друкованих плат прямокутної форми, однією з довгих сторін яких розташовуються контактні майданчики для з'єднання з роз'ємами материнської плати.

Залежно від виконання контактів модулі поділяються на два типи – SIMM та DIMM. SIMM або Single In line Memory Module – означає модуль пам'яті з одним рядом контактів. DIMM - модуль із двома рядами контактів. В обох типів модулів контактні майданчики розташовані на двох сторонах плати, але в модулях SIMM протилежні контакти з'єднані.

Модулі пам'яті DDR2 та DDR3 мають по 240 контактів. На контактному боці модулів є спеціальний виріз - ключ. На модулях DDR2 та DDR3 ключі розташовуються по-різному, що виключає встановлення одного модуля замість іншого. Випускаються модулі зменшеного габариту для ноутбуків, які позначаються SoDIMM, So у позначенні розшифровується як Small Outline, тобто малі навпаки.

Характеристики DDR3

Основні характеристики будь-якого типу пам'яті - обсяг та швидкодія. Обсяг модулів, що випускаються в даний час, становить від 1 до 16 ГБ для стандартних модулів і до 8 ГБ для SoDIMM.

Швидкодія синхронної пам'ятівизначається тактовою частотою шини та затримками в циклі звернення до пам'яті, які характеризують швидкодію самих мікросхем пам'яті та називаються латентностями (від англійської Latency – затримка) або таймінгами. Різних затримок вказується кілька – іноді до п'яти. Для вибору модуля DDR3 можна не звертати особливу увагу на затримки.

У системах DDR дані буферизуються, використовується конвеєрне введення-виведення, при цьому значення затримок власне мікросхем компенсується. Крім того, сучасні процесори мають на кристалі такі обсяги швидкодіючих статичних ОЗУ в кеш-пам'яті другого і навіть третього рівня, що підкачування сторінок між внутрішнім кешем та зовнішнім ОЗУ відбувається досить рідко. Тому в сучасних комп'ютерах швидкодія оперативної пам'яті перестала відігравати визначальну роль.

Головна характеристика швидкодії пам'яті DDR3 – частота передачі по шині даних. Для DDR3 вона може бути в діапазоні від 800 до 2400 МГц. Частота шини вдвічі нижче, оскільки передача даних йде двічі за цикл по обох напрямках тактового сигналу. За рахунок буферизації ще ділиться на 4, тобто сама пам'ять працює на частоті в 4 рази нижче за частоту шини.

Швидкодія модулів вимірюється в мегабайтах за секунду. Оскільки шина має ширину 64 біта або 8 байт в секунду, значення швидкості обміну даними для модуля DDR3 буде в 8 разів більше частоти передачі по шині.

Найповільніший модуль із частотою даних на шині 800 МГц матиме швидкість 2400 МБ на секунду і матиме позначення PC3−2400.

Найшвидший модуль із частотою даних 2400 МГц буде мати швидкість 19200 МБ в секунду і позначення буде виглядати як PC3-19200.

При виборі модуля, треба обов'язково переконатися, що тактова частота шини відповідає тактовій частоті процесорної шини вашого комп'ютера.

Зниження напруги живлення мікросхем

Сучасні мікросхеми виготовляються за технології КМОП. Транзисторний ключ у цій технології складається із двох польових транзисторів, включених за двотактною схемою. У будь-якому стані ключа один транзистор повністю відкритий, інший закритий. У закритому стані польовий транзистор мало пропускає струму. Тобто, у стабільному стані КМОП ключ не споживає струму від джерела живлення. Але затвори польових транзисторів мають ємність. І вона має суттєву величину. При перемиканні ключа відбувається перезаряд ємностей затвора. А конденсатор, як відомо, запасає енергію як електричного поля. І ця енергія пропорційна величинам ємності та напруги.

Отже, треба домогтися роботи мікросхем при якомога нижчій напрузі живлення. В результаті з кожним новим поколінням мікросхем напруга їх харчування зменшується.

• DDR – 2, 5 Ст.
• DDR2 – 1, 8 Ст.
• DDR3 – 1, 5 Ст.
• DDR4 – 1, 2 Ст.

У чому відмінність DDR3 та DDR3l

На ринку можна знайти модулі з мікросхемами DDR3l та DDR3. Різниця в тому, що DDR3L – це модернізована версія DDR3. L означає Low або по-російськи низький, знижений. Мікросхеми DDR3l можуть працювати на зниженій напрузі 1,35 В. Але можуть працювати і при звичайній для DDR3 напрузі 1,5 В. Краще використовувати відповідні модуліза своїм прямим призначенням.

DDR3L може встановлюватися замість DDR3, а навпаки – ні. Якщо напруги живлення модулів пам'яті дорівнює 1,35, то така материнська плата передбачає використання тільки модулів DDR3L, і установка звичайних модулів DDR3 неможлива.

За останні кілька років мобільні процесори зробили великий крок у розвитку, завдяки чому на ринку зберігається досить висока популярність ноутбуків, неттопів та інших компактних конфігурацій. Тому цілком логічно, що у багатьох користувачів виникає питання: «Навіщо купувати громіздкий та галасливий ПК, якщо можна обійтися тихим та компактним варіантом системи?». Особливо це актуально для тих, чиє коло завдань обмежується серфінгом в інтернеті, роботою з офісними програмами та переглядом фільмів.

Однак, як і будь-якій іншій конфігурації, компактна система також повинна бути збалансованою. Тобто, її компоненти не повинні обмежувати можливості один одного. Причому це стосується всіх комплектуючих, у тому числі і оперативної пам'яті. Як правило, над її вибором рідко коли замислюються, помилково припускаючи, що всі комплекти однакові. Але, як і повнорозмірні модулі пам'яті, їх компактні аналоги відрізняються обсягом, ефективною частотою роботи та набором затримок. Всі ці характеристики більшою чи меншою мірою впливають на загальну продуктивність системи. Тому дослідження можливостей наборів оперативної пам'яті для компактних систем є досить актуальним завданням, особливо у наш час.

У цьому огляді ми познайомимося з комплектом DDR3L-1600TranscendTS512MSK64W6H. Його модулі належать до енергоефективної серії, тобто здатні працювати за зниженої напруги. Враховуючи, що більшість компактних систем живляться від зовнішніх адаптерів потужністю до 100 Вт, перед їх комплектуючими ставляться жорсткіші вимоги в плані енергоспоживання. Якщо ж говорити про ноутбуки, то енергоефективність компонентів взагалі є чи не визначальним фактором.

Специфікація:

Упаковка та зовнішній вигляд модулів

Комплект DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H складається із двох модулів, кожен з яких поставляється в окремому пластиковому пакеті. Така упаковка забезпечує їх надійний захист від пробою статичної електрики. При установці модулів також необхідно вжити заходів для запобігання розряду статичної електрики, про що нагадує напис на наклейці.

Пам'ять DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H належить до типу SO-DIMM. У порівнянні зі звичайними планками, SO-DIMM-модулі зменшені в розмірах, оскільки найчастіше використовуються в компактних пристроях: ноутбуках, неттопах та міні-комп'ютерах, побудованих на основі материнських плат формату Thin-ITX/Mini-ITX. Довжина модуля становить лише 67,6 мм, а висота - 30 мм.

Самі планки виконані на текстоліті зеленого кольору, з обох боків якого прикріплено 4 чіпи пам'яті. Окремої системи охолодження не передбачено, що, по-перше, жорстким обмеженням розмірів, а по-друге - малим нагріванням під час роботи. Адже спочатку на згадку про DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H подається знижена напруга живлення 1,35 В.

Під час тестування комплекту під тривалим навантаженням температура модулів склала 40,5 ° С, що приблизно на 10 ° С нижче, ніж у повнорозмірних планок стандарту DDR3, що працюють при напрузі 1,5 В. Як бачимо, різниця досить суттєва. Про всяк випадок зазначимо, що згідно зі специфікацією, максимальна температура повітря, при якій набір DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H дозволяється експлуатувати, становить 95°С.

Пам'ять кожного модуля набрана за допомогою 8-мі чіпів об'ємом 512 МБ кожен, виробництва компанії Micron. На одній планці використовуються мікросхеми з маркуванням D9QVG, а на другій - , які відрізняються лише ревізією. Судячи з офіційної документації, встановлені чіпи мають прихований потенціал. Оскільки серед інших режимів роботи і DDR3-1866 при таймінгах 13-13-13. Іншими словами замість заявлених 1600 МГц модулі пам'яті DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H теоретично можуть функціонувати і на частоті 1866 МГц.

Ідентифікувати мікросхему SPD EEPROM за маркуванням "4026 8305" не вдалося.

На наклейці, виявленій на модулях пам'яті, є мінімум інформації. Вказані лише ефективна швидкість роботи (1600 МГц), обсяг одного модуля (4 ГБ) та його конфігурація (1 ранг х 8 банків).

Більш повну технічну інформацію, як завжди, можна отримати за допомогою спеціальних утиліт. Ми відмовилися від використання популярних програм AIDA64 та CPU-Z, тому що вони інтерпретують інформацію з SPD за старим алгоритмом і не завжди коректно. Щоб уникнути появи можливих неточностей, було вирішено використовувати утиліту Thaiphoon Burner, розроблену спеціально для діагностики модулів пам'яті. Нижче наведено повний звіт про технічні характеристики модулів з комплекту пам'яті DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H.

Відзначимо можливість роботи як при напрузі 1,35, так і при 1,5, внаслідок чого значно збільшується їх сумісність з доступними на ринку пристроями.

Тестування

Для проведення тестів ми використали таку конфігурацію стенду:

Опонентом у тестуванні виступав набір пам'яті DDR3-1333 TwinMOS 9DECBMIB об'ємом 4 ГБ (2 х 2 ГБ). Обидва комплекти проходили тестування у наступних режимах роботи:

Аналіз отриманих графіків показав, що зміна параметрів оперативної пам'яті впливає швидкодія запропонованої системи. Бенчмарк AIDA64 наочно демонструє, що зі збільшенням швидкості роботи модулів суттєво зростає швидкість копіювання/запису/читання з пам'яті. При переході з частоти 1333 МГц на 1600 МГц ці показники збільшилися на 19%/17%/17% відповідно, а порівняно зі швидкістю 1066 МГц приріст вже становив 47%/52%/46%.

В інших тестах збільшення продуктивності системи було значно нижчим і становило приблизно 3-10%. Що стосується ігрових додатків, то, незважаючи на використання вбудованого графічного ядра, вони практично ніяк не відреагували на збільшення швидкості пам'яті.

Якщо ж порівнювати модулі DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H та DDR3-1333 TwinMOS 9DECBMIB, то обидва комплекти йшли «ніздрі в ніздрю» і у всіх тестах в однакових режимах роботи демонстрували порівняні результати.

Розгін

Оскільки материнська плата Intel DQ77KB не дає змоги підняти частоту оперативної пам'яті вище 1600 МГц, ми вирішили провести оптимізацію параметрів модулів DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H на рівні затримок.

За тієї ж швидкості роботи (1600 МГц) стандартний набір таймінгів 11-11-11-28 було змінено на 10-10-10-25. Щоправда, при цьому довелося збільшити напругу живлення з 1,35 до 1,5 Ст.

На швидкодії системи такі маніпуляції з параметрами пам'яті позначилися в такий спосіб.

Середній приріст продуктивності склав лише 1,84%, що, звичайно ж, не багато. У реальних додатках ця добавка залишиться непоміченою і практично не вплине на швидкість виконання переважної більшості завдань. Винятком є ​​лише деякі ігри та синтетичні тести.

Частота 1600 МГц, затримки – 11-11-11-28

Частота – 1600 МГц, затримки – 10-10-10-25

Як підтвердження цієї думки наводимо результати з оверклокерського бенчмарку SuperPi (32M), зняті до та після розгону оперативної пам'яті. Як бачимо, час проходження тесту трохи покращав.

Щоб переконатися в стабільності функціонування модулів після оптимізації параметрів їх роботи, було використано стандартний засіб перевірки пам'яті операційної системи Windows 7. Після 36 циклів тесту жодних помилок не виявлено, що дозволяє говорити про вдалий розгін і стабільну роботу всієї системи. Під час проходження експерименту ми вирішили також виміряти температуру модулів пам'яті, яка склала 42,2°С. Це лише на 1,7°С більше, ніж у номінальному режимі роботи.

Висновки

Якщо ви хочете зібрати компактну, але водночас і продуктивну систему, або оновити ігровий ноутбук, то комплект пам'яті DDR3L-1600TranscendTS512MSK64W6Hбуде чудовим варіантом для цих цілей. Він забезпечить об'єм 8 ГБ, що дозволить тримати в пам'яті одночасно кілька програм або згорнуту гру та швидко перемикатися між ними. Ефективна частота модулів DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H становить 1600 МГц, завдяки чому в деяких випадках можна буде отримати хоч і невелику, але все ж таки перевагу над аналогами, що працюють на швидкості 1333 МГц. При цьому підтримується напруга живлення 1,35 і 1,5 В, що покращує сумісність з компонентами системи, а також розширює можливості пам'яті в плані оптимізації її параметрів. Як показала практика, навіть простим зниженням затримок можна в деяких іграх досягти 5% приросту продуктивності (при використанні вбудованого графічного ядра). Однак ніхто не заважає вам виробляти розгін і по частоті, тим більше, що встановлені тут чіпи Micron D9QVG/D9QBJ офіційно підтримують швидкість 1866 МГц.

Transcend за наданий для тестування комплект пам'яті.

Висловлюємо подяку компаніїIntel за надане для тестового стенду обладнання.

Стаття прочитана 16256 раз(и)

Різниця між DDR3L та DDR3 полягає в енергоспоживання:

• DDR3L підходить для настільних ПК на чіпсетах нового покоління Intel 3 Series з живленням 1.35В.
• DDR3 – для пристроїв з напругою 1.5В.

Економія енергії DDR3L досягає до 15% щодо звичайного модуля ОЗУ – DDR3, та 40% – DDR2 (1.8В). Але функціональні характеристики DDR3L можна порівняти з можливостями DDR3.

Критерії вибору

Швидкість дії пам'яті визначається частотою та таймінгами. З її збільшенням підвищується продуктивність потужних професійних чи ігрових ПК. Конструктивно пристрій представлено двома окремими модулями, що поставляються в окремих пластикових пакетах, що захищають від пробою статичної електрики. DDR3 має функції транзисторів із подвійним затвором Dual-gate, що знижує струми витоку. Мінімальний розмір пристрою DDR3 - 1 Гб, максимальний - 16 ГБ.

Частота пам'яті. Вона визначає швидкість її дії. Але перед придбанням модуля важливо передбачити підтримку процесором (1333 та 2133 МГц) материнською платою заданих параметрів: від 2000 МГц до 3000 МГц. Дізнатися про частоту пам'яті того чи іншого процесора можна на сайті виробника.

таймінги. Типова латентність для модуля DDR3 1333 МГц – CL 9, високочастотної пам'яті DDR3 – CL 11. Зазвичай низькі таймінги коштують дорожче, що говорить про високий рівень техпараметрів. Чим менше затримки між читанням/записом/копіюванням даних, тим краще.

Важливо знати! Для стабільної роботи ноутбука рекомендується встановити однакові модулі оперативної пам'яті.

Відгуки користувачів

Галина Ручняк, 32 роки, Ростов-на-Дону

Модуль DDR3 для десктопів (програм, здатних записувати введення даних та підключатися до інтернету) підходять до більшості плат, але різниця становить енергоспоживання та тепловиділення. Продуктивність DDR3L аналогічна DDR3, за умови однакової частоти та таймінгів. Але якщо подати на 1.5 на згадку з 1.35, тоді вона перегріватиметься від надлишку вольтажу, деградують мікросхеми.

До речі, нещодавно дивилася ціни материнок на одному популярному сайті та знайшла цілу статтю, що Skylake погано реагує на DDR3 – відбувається деградація контролера пам'яті та її вихід із ладу. Для Skylake ідеальним варіантом стане LV DDR3 чи DDR4.

Інна Крадкова, 27 років, СПб

У мене ноутбук Асус K56CB, в ньому ОЗУ DDR3, 4 Гб в одному з двох слотів (другий вільний, ймовірно). Я вирішила купити інший бук AcerAspire E3-112, де один слот та модуль DDR3L на 2 Гб. Хотіла з Асуса переставити пластину на 4 Гб Acer, а в ASUS поставити модуль 2 Гб з Acer, а потім додати ще 1 пам'ять на 2 Гб і вийде 4, так як двох недостатньо. Це дозволило б мені заощадити на покупці 4гб планки та пристосувати модуль на 2 Гб.
Коли порушила питання на одному з форумів, мені пояснили, що 4ГБ DDR3 на ноуті, де була встановлена ​​DDR3L, не запуститься (їй потрібно харчування 1.5v, а материнська плата видасть лише 1.35v). DDR3L функціонує і на 1.35v та на 1.5v, вона дозволяє замінити будь-яку планку.

Людмила Ростова, 31 рік, Красноярськ

Оперативка DDR3L ідеально підходить для пристроїв, що працюють із DDR3. Тому рекомендую сміливо користуватися новими модулями в сучасних платах. DDR3 стандарт передбачений для SPD-пристроїв (постійних запам'ятовуючих пристроїв EEPROM, що перезаписуються). Виходячи з сфери застосування, нові модулі можуть відрізнятися маркуванням. Пам'ять для ПК позначається як PC3L, а для вбудованих систем служить індикатор EP3L.

Відео

Оперативна пам'ять типу DDR ​​зібрана за стандартами DIMM, який є її попередником. Інформація може передаватися і по фронту і спаду завдяки тому, що платформа оснащена мікросхемамиі транзисторами зібраними в TSOPBGA. Інформація може передаватись у подвійному розміріза один такт, завдяки впровадженню нової архітектури комп'ютерів 2n Prefetch.

Серед комп'ютерних технологій постійно з'являється щось нове. Тепер мікросхемидля модулів типу DDR3 виготовляються виключно у корпусах виду BGA. Завдяки цьому вдалося покращити транзистори і з'явилися моделі, що мають подвійнимзатвором.

Особливості пам'яті DDR3

Планки оперативної пам'яті бувають від 1 гігабайта до 16 гігабайт, а частота пам'яті може змінюватись від 100 до 300 МГц. Якщо говорити про шину, то від 400 до 120 МГц.

Більш-менш нормальне значення частоти шини 1066 – 1600 МГц. Якщо вона збільшується, то й споживання енергії разом із нею. Якщо частота буде 2400, планки нагріються і будуть дуже гарячими. Щоб цього не було – встановлюється пасивне охолодження.

Ще споживання енергії може зрости, якщо буде розганятисякомп'ютер. Це відбувається завдяки перетворенням,використовується всередині планок DDR3 напруги Vddr.

У структурі пам'яті цього виду знаходиться 8 банків пам'яті, а рядок її чіпа завбільшки 2048 байт. Ця будова тягне за собою пристойні таймінгиу роботі ОЗУ та знижує швидкість перемикання між чіпами.

Конструкція планок DDR3L практично не відрізняєтьсявід DDR3. Вони також оснащені 240 контактамиі мають такі ж розміри, крім висоти.

Також, цей вид оснащений системою пасивногоохолодження, що дозволяє її розганяти, збільшуєпродуктивність, оскільки підвищуєтьсяспоживання енергії. Модуль пам'яті не вийде з ладу раніше, ніж належить, тому що тепло розсіюватиметься і не відбудеться перегрів.

Слід зазначити, що з 2012 року на ринку можна зустріти модифікаціїцієї пам'яті, розроблені для смартфонів DDR3L-RS.

У маркуванні пам'яті, L – це Lowтобто низьке споживання енергії. На відміну від DDR3 даний вид пам'яті вимагає джерело, напруга якого 1,35 В. Це на 10-15% менше DDR3 і на 40% менше DDR2. Завдяки тому, що тепла виділяється менше, то й пасивне охолодженняне потрібно, а це скорочує таймінгиі робить роботу стабільнішою та продуктивнішою. Всі інші параметри нічим не відрізняються від DDR3.

DDR3L не можна замінити на DDR3. встановлення в слот для першого типу призведе до несумісності та запуск не відбудеться. Але у зворотному порядку можливазаміна, однак плата може нагріватися, тому що DDR3 потребує більше енергії.

У чому відмінність DDR3 та DDR3L

Як ми вже говорили, DDR3L відрізняється розмірами, але трохи. Далі вона споживає менше енергіїна 15 відсотків та виділяє мало тепла. Завдяки цьому продуктивністьнабагато більше, а таймінги – менше. Працює цей тип стабільнішеі в рази швидше.