За останні кілька років мобільні процесори зробили великий крок у розвитку, завдяки чому на ринку зберігається досить висока популярність ноутбуків, неттопів та інших компактних конфігурацій. Тому цілком логічно, що у багатьох користувачів виникає питання: «Навіщо купувати громіздкий та галасливий ПК, якщо можна обійтися тихим та компактним варіантом системи?». Особливо це актуально для тих, чиє коло завдань обмежується серфінгом в інтернеті, роботою з офісними програмами та переглядом фільмів.

Однак, як і будь-якій іншій конфігурації, компактна система також повинна бути збалансованою. Тобто, її компоненти не повинні обмежувати можливості один одного. Причому це стосується всіх комплектуючих, у тому числі і оперативної пам'яті. Як правило, над її вибором рідко коли замислюються, помилково припускаючи, що всі комплекти однакові. Але, як і повнорозмірні модулі пам'яті, їх компактні аналоги відрізняються обсягом, ефективною частотою роботи та набором затримок. Всі ці характеристики більшою чи меншою мірою впливають на загальну продуктивність системи. Тому дослідження можливостей наборів оперативної пам'яті для компактних систем є досить актуальним завданням, особливо у наш час.

У цьому огляді ми познайомимося з комплектом DDR3L-1600TranscendTS512MSK64W6H. Його модулі належать до енергоефективної серії, тобто здатні працювати за зниженої напруги. Враховуючи, що більшість компактних систем живляться від зовнішніх адаптерів потужністю до 100 Вт, перед їх комплектуючими ставляться жорсткіші вимоги в плані енергоспоживання. Якщо ж говорити про ноутбуки, то енергоефективність компонентів взагалі є чи не визначальним фактором.

Специфікація:

Упаковка та зовнішній вигляд модулів

Комплект DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H складається із двох модулів, кожен з яких поставляється в окремому пластиковому пакеті. Така упаковка забезпечує їх надійний захист від пробою статичної електрики. При установці модулів також необхідно вжити заходів для запобігання розряду статичної електрики, про що нагадує напис на наклейці.

Пам'ять DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H належить до типу SO-DIMM. У порівнянні зі звичайними планками, SO-DIMM-модулі зменшені в розмірах, оскільки найчастіше використовуються в компактних пристроях: ноутбуках, неттопах та міні-комп'ютерах, побудованих на основі материнських плат формату Thin-ITX/Mini-ITX. Довжина модуля становить лише 67,6 мм, а висота - 30 мм.

Самі планки виконані на текстоліті зеленого кольору, з обох боків якого прикріплено 4 чіпи пам'яті. Окремої системи охолодження не передбачено, що, по-перше, жорстким обмеженням розмірів, а по-друге - малим нагріванням під час роботи. Адже спочатку на згадку про DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H подається знижена напруга живлення 1,35 В.

Під час тестування комплекту під тривалим навантаженням температура модулів склала 40,5 ° С, що приблизно на 10 ° С нижче, ніж у повнорозмірних планок стандарту DDR3, що працюють при напрузі 1,5 В. Як бачимо, різниця досить суттєва. Про всяк випадок зазначимо, що згідно зі специфікацією, максимальна температура повітря, при якій набір DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H дозволяється експлуатувати, становить 95°С.

Пам'ять кожного модуля набрана за допомогою 8-мі чіпів об'ємом 512 МБ кожен, виробництва компанії Micron. На одній планці використовуються мікросхеми з маркуванням D9QVG, а на другій - , які відрізняються лише ревізією. Судячи з офіційної документації, встановлені чіпи мають прихований потенціал. Оскільки серед інших режимів роботи і DDR3-1866 при таймінгах 13-13-13. Іншими словами замість заявлених 1600 МГц модулі пам'яті DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H теоретично можуть функціонувати і на частоті 1866 МГц.

Ідентифікувати мікросхему SPD EEPROM за маркуванням "4026 8305" не вдалося.

На наклейці, виявленій на модулях пам'яті, є мінімум інформації. Вказані лише ефективна швидкість роботи (1600 МГц), обсяг одного модуля (4 ГБ) та його конфігурація (1 ранг х 8 банків).

Більш повну технічну інформацію, як завжди, можна отримати за допомогою спеціальних утиліт. Ми відмовилися від використання популярних програм AIDA64 та CPU-Z, тому що вони інтерпретують інформацію з SPD за старим алгоритмом і не завжди коректно. Щоб уникнути появи можливих неточностей, було вирішено використовувати утиліту Thaiphoon Burner, розроблену спеціально для діагностики модулів пам'яті. Нижче наведено повний звіт про технічні характеристики модулів з комплекту пам'яті DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H.

Відзначимо можливість роботи як при напрузі 1,35, так і при 1,5, внаслідок чого значно збільшується їх сумісність з доступними на ринку пристроями.

Тестування

Для проведення тестів ми використали таку конфігурацію стенду:

Опонентом у тестуванні виступав набір пам'яті DDR3-1333 TwinMOS 9DECBMIB об'ємом 4 ГБ (2 х 2 ГБ). Обидва комплекти проходили тестування у наступних режимах роботи:

Аналіз отриманих графіків показав, що зміна параметрів оперативної пам'яті впливає швидкодія запропонованої системи. Бенчмарк AIDA64 наочно демонструє, що зі збільшенням швидкості роботи модулів суттєво зростає швидкість копіювання/запису/читання з пам'яті. При переході з частоти 1333 МГц на 1600 МГц ці показники збільшилися на 19%/17%/17% відповідно, а порівняно зі швидкістю 1066 МГц приріст вже становив 47%/52%/46%.

В інших тестах збільшення продуктивності системи було значно нижчим і становило приблизно 3-10%. Що стосується ігрових додатків, то, незважаючи на використання вбудованого графічного ядра, вони практично ніяк не відреагували на збільшення швидкості пам'яті.

Якщо ж порівнювати модулі DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H та DDR3-1333 TwinMOS 9DECBMIB, то обидва комплекти йшли «ніздрі в ніздрю» і у всіх тестах в однакових режимах роботи демонстрували порівняні результати.

Розгін

Оскільки материнська плата Intel DQ77KB не дає змоги підняти частоту оперативної пам'яті вище 1600 МГц, ми вирішили провести оптимізацію параметрів модулів DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H на рівні затримок.

За тієї ж швидкості роботи (1600 МГц) стандартний набір таймінгів 11-11-11-28 було змінено на 10-10-10-25. Щоправда, при цьому довелося збільшити напругу живлення з 1,35 до 1,5 Ст.

На швидкодії системи такі маніпуляції з параметрами пам'яті позначилися в такий спосіб.

Середній приріст продуктивності склав лише 1,84%, що, звичайно ж, не багато. У реальних додатках ця добавка залишиться непоміченою і практично не вплине на швидкість виконання переважної більшості завдань. Винятком є ​​лише деякі ігри та синтетичні тести.

Частота 1600 МГц, затримки – 11-11-11-28

Частота – 1600 МГц, затримки – 10-10-10-25

Як підтвердження цієї думки наводимо результати з оверклокерського бенчмарку SuperPi (32M), зняті до та після розгону оперативної пам'яті. Як бачимо, час проходження тесту трохи покращав.

Щоб переконатися в стабільності функціонування модулів після оптимізації параметрів їх роботи, було використано стандартний засіб перевірки пам'яті операційної системи Windows 7. Після 36 циклів тесту жодних помилок не виявлено, що дозволяє говорити про вдалий розгін і стабільну роботу всієї системи. Під час проходження експерименту ми вирішили також виміряти температуру модулів пам'яті, яка склала 42,2°С. Це лише на 1,7°С більше, ніж у номінальному режимі роботи.

Висновки

Якщо ви хочете зібрати компактну, але водночас і продуктивну систему, або оновити ігровий ноутбук, то комплект пам'яті DDR3L-1600TranscendTS512MSK64W6Hбуде чудовим варіантом для цих цілей. Він забезпечить об'єм 8 ГБ, що дозволить тримати в пам'яті одночасно кілька програм або згорнуту гру та швидко перемикатися між ними. Ефективна частота модулів DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H становить 1600 МГц, завдяки чому в деяких випадках можна буде отримати хоч і невелику, але все ж таки перевагу над аналогами, що працюють на швидкості 1333 МГц. При цьому підтримується напруга живлення 1,35 і 1,5 В, що покращує сумісність з компонентами системи, а також розширює можливості пам'яті в плані оптимізації її параметрів. Як показала практика, навіть простим зниженням затримок можна в деяких іграх досягти 5% приросту продуктивності (при використанні вбудованого графічного ядра). Однак ніхто не заважає вам виробляти розгін і по частоті, тим більше, що встановлені тут чіпи Micron D9QVG/D9QBJ офіційно підтримують швидкість 1866 МГц.

Transcend за наданий для тестування комплект пам'яті.

Висловлюємо подяку компаніїIntel за надане для тестового стенду обладнання.

Стаття прочитана 16256 раз(и)

Для свого комп'ютера чи ноутбука, вибравши тип DDR3, можна побачити не просто DDR3, а ще й DDR3L. У цій статті ви дізнаєтеся чим відрізняється DDR3 від DDR3L і чи сумісні вони між собою.

Відмінності DDR3 та DDR3L

Найголовнішою та єдиною відмінністю даних модулів один від одного є робоча напруга. У класичного DDR3 він дорівнює 1.5V, А у більш нового DDR3L 1.35V.

Розрізнити їх можна за маркуванням.

Маркування модулів оперативної пам'яті DDR3 та DDR3L

Таким чином, DDR3L економічніше в плані енергоспоживання на 10%. Подібна модернізація вже була кілька років тому, коли був масовий перехід із оперативної пам'яті типу DDR ​​на DDR2. Тоді DDR працювала на 2.5 вольтах, тоді як у DDR2 робочою напругою було 1.8 вольта.

Сумісність DDR3 та DDR3L

З повною впевненістю можна сказати, що пам'ять типу DDR3L з напругою 1.35V без жодних проблем працюватиме у всіх материнських платах і ноутбуках, зі стандартом пам'яті DDR3.

Тому, купуючи DDR3L, можете не переживати, що вона не запрацює у вашому пристрої. Заробить 100%.

Наявність літери L у маркуванні – ознака пам'яті DDR3L 1.35V, яка працює скрізь та з усім

А ось якщо у вас комп'ютер 2016 випуску і пізніше, то з дуже великою ймовірністю в нього пам'ять DDR3 1.5V може не підійти. Точніше ви її вставите в роз'єм, а ось працювати вона не буде, так як на DIMM слот пам'яті подається всього 1.35V, замість призначених для даної ОЗУ 1.5V.

Особливо це стосується ноутбуків та нетбуків, де при проектуванні йде боротьба за кожен вольт.

Найправильнішим варіантом у цьому випадку буде

Більшість комп'ютерних складових є настільки складними, що розібратися з тим, що вони є, часом не можуть навіть більш-менш просунуті користувачі. Деякі нюанси пов'язані також і з такими поняттями, як DDR3 і DDR3L.

Під словами DDR, головним чином мають на увазі такий тип комп'ютерної пам'яті, який масово використовується в обчислювальній техніці в ролі оперативної або відеопам'яті. На даний момент часу передбачено відразу кілька різновидів цієї комп'ютерної складової. Деякий час тому, активно користувалися DDR2, про існування якої, заявили в далекому 2003 році. Як якусь основу, тут використовується передача даних по обох зрізах тактового сигналу. Саме завдяки йому можна подвоїти швидкість передачі даних. Цей параметр поєднує його разом із набагато менш затребуваними DDR1. Ну а ось тим параметром, який їх між собою відрізняє те, що працює новий тип пам'яті на частоті, що вдвічі більше стандартної.

При цьому, для того, щоб існувала можливість забезпечити досить великий потік даних, їх передача на шину, одночасно, здійснюється відразу з чотирьох місць. Зараз найбільш просунутим стандартом пам'яті вважається DDR3, про існування якого вперше згадали в 2010 році.

DDR3, являє собою синхронну динамічну пам'ять, яка має можливість похвалитися наявністю довільного доступу та подвоєною швидкістю передачі даних, відповідно, цей тип пам'яті відноситься до третього покоління. У випадку з нею, розмір передпокачки збільшується з 4 до 8 біт, що досить важливо, погодьтеся ж. Його відмінною особливістю є те, що у випадку з нею, споживання енергії набагато менше, ніж у випадку з модулями, присутніми в DDR2. Обумовлюється такий стан справ тим, що DDR3, такий показник становить 1,5 У.


Можливо деяким з вас це здасться дуже дивним, але зниження напруги живлення, має місце бути, завдяки тому, що в DDR3, передбачений унікальний техпроцес, ключовим етапом якого має вважатися застосування транзисторів, що мають подвійний затвор Dual-gate. Останній, до речі, сприяє суттєвому зниженню струмів витоку. Мікросхеми виробляються лише у корпусах, які належать до типу BGA. Найменшою ємністю модулів пам'яті DDR3 має становити не менше 1 Гб. Що ж до максимальної ємності, вона набагато вище, оскільки становить 16 ГБ.

Крім стандартного різновиду даного типу пам'яті, відомо про існування DDR3L, у разі якого передбачений набагато нижчий показник напруги. У ньому цей показник дорівнює 1,35 В. Ну а це менше традиційного для DDR3 на 10%.


Зокрема, хотілося б зупинитися на DDR3L. Переважна більшість виробників, відповідальних за виготовлення пам'яті такого типу, роблять свій товар таким чином, щоб він складався із двох модулів. Кожен з них поставляється в окремому пластиковому пакеті, який у свою чергу забезпечує їх надійний захист від можливого пробою статичної електрики. До речі, для того, щоб все пройшло належним чином, вам слід передбачити те, що вчасно здійснення установки відповідних модулів, необхідно зробити все можливе для того, щоб запобігти розряду статичної електрики.

Деякі відмінності передбачені також у їх маркування. Так, наприклад, у випадку з DDR3L, пам'яттю для персональних комп'ютерів, буде використано маркування PC3L. Прийнято вважати, що цей стандарт, здатний забезпечити нижче енергоспоживання і через те, що зараз у моду увійшла екологічність, немає нічого дивного в його незвичайній популярності.

Чим відрізняються типи оперативної пам'яті DDR3 та DDR3L?

Для того, щоб підсумувати все вищесказане, вважаємо за належне відзначити те, що головна відмінність двох цих типів пам'яті, зводиться до них таймінгам. Крім цього, відрізняються вони також і своєю стандартною напругою. Так, у разі, якщо в DDR3 цей показник становить 1.5 Вольта, то DDR3L він знижений вже до 1.35 Вольта. Не слід плутати ці поняття також і з DDR3U, в якому передбачено відразу ж 1.25 Вольта.

Оперативно запам'ятовуючий пристрій (ОЗП) – модуль тимчасової пам'яті, який використовується в комп'ютерній архітектурі для збереження певного набору команд та інформації. забезпечує стабільну та надійну роботу операційної системи та запущених програм та додатків.

З розвитком технологій оперативна пам'ять постійно удосконалювалася: збільшувалися її обсяг та продуктивність. Сучасний тип ОЗУ DDR3 є модернізованою версією свого предка, який прийшов на зміну оперативної пам'яті типу DIMM у далеких 90-х роках.

Конструкція DDR

Перш ніж визначати різницю між DDR3 і DDR3L слід ознайомитися з конструкцією ОЗУ типу DDR. Оперативну пам'ять зібрано на форм-факторі свого попередника DIMM. Платформу оснастили мікросхемами, які збираються в корпусах TSOP BGA та транзисторів, завдяки чому передача інформації здійснювалася як по фронту, так і спаду. Здійснення подвійної передачі за один такт стало можливим за рахунок реалізації в комп'ютерній архітектурі технології 2n Prefetch.

Розвиток комп'ютерних технологій і впровадження у виробництво інноваційних призвело до того, що мікросхеми для модуля оперативного пристрою типу DDR3 стали виготовлятися тільки в корпусах BGA. Це сприяло модернізації транзисторів, і з'явилися нові моделі з подвійним затвором Dual-gate. Застосування даної технології дозволило скоротити величину струмів витоку та підвищити продуктивність ОЗУ. Так у ході свого розвитку енергоспоживання блоку пам'яті знижувалося: DDR - 2,6, DDR2 - 1,8 В і DDR3 - 1,5 В.

Увага! Модулі пам'яті типу DDR2 та DDR3 не сумісні та не взаємозамінні за механічними та електротехнічними показниками. Захист від установки планки оперативної пам'яті в невідповідний слот (роз'єм) реалізований за рахунок розташування ключа у різних місцях модуля.

Особливості оперативної пам'яті DDR3

Планки ОЗУ випускаються від 1 ГБ до 16 ГБ, а частота пам'яті може бути у діапазоні 100 – 300 МГц, а шини від 400 до 120 МГц. Залежно від частоти шини оперативна пам'ять DDR3 має різну пропускну здатність:

• DDR3-1600 – від 2400 до 2500 МБ/с;
• DDR3-1866 – від 2800 до 2900 МБ/с;
• DDR3-2133 – від 3200 до 3500 МБ/с;
• DDR3-2400 – від 3400 до 3750 МБ/с.

Оптимальними значеннями частоти шини оперативно запам'ятовує є 1066 – 1600 МГц. При збільшенні частоти зростає енергоспоживання модуля пам'яті аж до 1,65 при частоті шини 2400 МГц. Подібне явище веде за собою нагрівання планок та рядне виділення теплової енергії. Для усунення такого недоліку високопродуктивні плати ОЗУ оснащуються системою пасивного охолодження, тобто радіаторами з алюмінієвого сплаву, які встановлюються двосторонню липку стрічку-термоінтерфейс.

Також підвищення енергоспоживання може здійснюватися під час розгону комп'ютера або виконання певних дій (операцій). Це здійснюється внутрішніми перетворювачами з допомогою використання у планках оперативної пам'яті DDR3 напруги Vddr. Слід пам'ятати, що це веде до зайвого виділення кількості тепла.

Увага! Виділення кількості теплової енергії вище встановленого значення призводить до зниження загальної продуктивності комп'ютера, появі «зависання» та «гальм» операційної системи та програм, що виконуються.

Структура DDR3 налічує 8 банків пам'яті, а розмір рядка її чіпа становить 2048 байт. Подібна будова, а також недоліки технології SSTL, через яку можливі витоку струмів, з'являються довгі таймінги в роботі оперативно запам'ятовуючого пристрою. Це також призводить до відносно повільного перемикання між чіпами пам'яті.

Особливості оперативної пам'яті DDR3L

За своєю конструкцією планки оперативної пам'яті DDR3L аналогічні DDR3. Вони мають самі 240 контактів, габаритні розміри однакові крім висоти вона дорівнює 28 – 32,5 мм проти 30,8 мм у DDR3. Подібна різниця обумовлюється наявністю радіаторів залежно від моделі та фірми виробника пристрою.

Оснащення оперативної пам'яті DDR3L системою пасивного охолодження передбачає можливість її розгону та збільшення продуктивності за рахунок збільшення енергоспоживання. Подібне рішення дозволяє ефективно виконувати відведення та розсіювання рясно виділяється теплової енергії для запобігання перегріву і передчасного виходу з ладу модуля пам'яті. Розміри ОЗУ, що встановлюються в , співставні зі стандартними платами DDR3. Більшість подібних модулів пам'яті на комп'ютерному ринку представлена ​​у виконанні з відсутністю радіаторів охолодження. Подібне рішення зводиться до того, що цей клас ПК малопридатний до модернізації та розгону.

Увага! На початку 2012 року на ринку з'явився різновид даної модифікації оперативного пристрою DDR3L-RS, вона спеціально розроблена під смартфони.

Індекс "L" у маркування ОЗУ DDR3L означає Low - знижене енергоспоживання. Дана модифікація оперативної пам'яті в порівнянні з DDR3 потребує джерела живлення, напруга якого становить 1,35 В. Дана модернізація призводить до скорочення енергоспоживання на 10 - 15% порівняно з DDR3 і до 40% щодо DDR2, зниження величини нагрівання пристрою. Тобто зменшення виділення тепла передбачає можливість відмови від пасивного охолодження і призводить до скорочення таймінгів, підвищення продуктивності та стабільності в роботі пристрою. Інші технічні характеристики оперативної пам'яті типу DDR3L можна порівняти з її «прабатьком» DDR3.

Сумісність та взаємозамінність DDR3 на DDR3L може здійснюватися лише у зворотному порядку. Оскільки встановлення ОЗУ DDR3 у слот під оперативну пам'ять DDR3L призведе до несумісності за електричними параметрами та її запуск не здійсниться. Зворотна заміна можлива, але підвищене значення напруги DDR3 може призвести до нагрівання плати оперативної пам'яті DDR3L.

Як вибрати оперативну пам'ять: відео

Оперативний пристрій, або ОЗУ, - це мікросхеми для оперативного або тимчасового зберігання інформації. Інформація в ОЗУ зберігається, поки мікросхему подається харчування. При відключенні живлення інформація втрачається. Введи текст

В англомовній технічній літературі такі пристрої називають RAM – Random Access Memory, або пам'яттю довільного доступу.

Статичні та динамічні ОЗУ

Існує два типи ОЗУ:статичні та динамічні.

Елементарним осередком статичного ОЗУ є тригер. Тригер складається з двох транзисторних ключів, включених назустріч один одному так, що зі стану взаємно протилежні – коли відкритий один ключ, другий закритий та навпаки. Без зовнішнього сигналу перемикання ключі залишаються в незмінному стані, поки на тригер подається живлення. Для реалізації тригера необхідно як мінімум два транзистори на кристалі.

Елементарним осередком динамічного ОЗУ є конденсатор. Заряджений конденсатор зберігає 1, розряджений - 0. В якості конденсатора, що запам'ятовує, можна використовувати власну ємність затвора польового транзистора, таким чином, з'являється можливість реалізувати комірку пам'яті всього на одному транзисторі. Більш висока щільність розміщення осередків пам'яті на кристалі та визначила використання динамічної пам'яті для побудови ОЗУ великого обсягу.

Конденсатор поступово втрачає свій заряд, тому його необхідно підтримувати у зарядженому стані, або< как говорят - регенерировать. Поэтому в динамической памяти, кроме обычных операций чтения и записи, появляется еще и операция регенерации.

Типи динамічних ОЗУ

Спочатку і статичні та динамічні пристроїбули асинхронними, тобто не вимагали своєї роботи тактової частоти. Швидкодія була приблизно однаковою і єдиною істотною відмінністю була необхідність регенерації в динамічних ОЗУ. Згодом швидкодія транзисторних ключів зростала, а швидкодія динамічної пам'яті обмежувалося тим, що заряд і розряд конденсатора, що запам'ятовує, вимагає певного часу. Динамічна пам'ять почала відставати від статичної.

Розробникам динамічної пам'яті довелося вдатися до ускладнення своїх мікросхем. Мікросхеми динамічної пам'яті отримали на кристалі досить складну обв'язку та пристрій управління, для роботи якого потрібна подача тактової частоти. Динамічні ОЗУ стали синхронними та отримали назву SDRAM – Synchronous Dynamic RAM.

За рахунок різних схемотехнічних хитрощів ефективна швидкодія SDRAM стала перевищувати пропускну спроможність шини пам'яті та шина стала вузьким місцем. Зазвичай у синхронних пристроях передача інформації відбувається по певному фронту синхроімпульсу - передньому (наростаючому) або задньому (спадаючому). З'явилися мікросхеми DDR SDRAM, у яких на відміну від звичайних SDRAM передача інформації по шині здійснюється як по обох напрямках синхроімпульсу. Це дозволило збільшити пропускну здатність шини пам'яті вдвічі. DDR означає Double Data Rate, або подвоєну швидкість даних.

Технологія DDR розвивалася та з'явилися нові покоління цих пристроїв, спочатку DDR2, потім DDR3. Останнім поколінням на сьогоднішній день є DDR4, але воно ще не набуло широкого поширення і найпоширенішим типом залишається DDR3.

Огляд оперативної пам'яті DDR3

DDR3 SDRAM означає синхронну динамічну пам'ять третього поколінняз подвоєною швидкістю передачі шиною даних. Пам'ять випускається як модулів - друкованих плат прямокутної форми, однією з довгих сторін яких розташовуються контактні майданчики для з'єднання з роз'ємами материнської плати.

Залежно від виконання контактів модулі поділяються на два типи – SIMM та DIMM. SIMM або Single In line Memory Module – означає модуль пам'яті з одним рядом контактів. DIMM - модуль із двома рядами контактів. В обох типів модулів контактні майданчики розташовані на двох сторонах плати, але в модулях SIMM протилежні контакти з'єднані.

Модулі пам'яті DDR2 та DDR3 мають по 240 контактів. На контактному боці модулів є спеціальний виріз - ключ. На модулях DDR2 та DDR3 ключі розташовуються по-різному, що виключає встановлення одного модуля замість іншого. Випускаються модулі зменшеного габариту для ноутбуків, які позначаються SoDIMM, So у позначенні розшифровується як Small Outline, тобто малі навпаки.

Характеристики DDR3

Основні характеристики будь-якого типу пам'яті - обсяг та швидкодія. Обсяг модулів, що випускаються в даний час, становить від 1 до 16 ГБ для стандартних модулів і до 8 ГБ для SoDIMM.

Швидкодія синхронної пам'ятівизначається тактовою частотою шини та затримками в циклі звернення до пам'яті, які характеризують швидкодію самих мікросхем пам'яті та називаються латентностями (від англійської Latency – затримка) або таймінгами. Різних затримок вказується кілька – іноді до п'яти. Для вибору модуля DDR3 можна не звертати особливу увагу на затримки.

У системах DDR дані буферизуються, використовується конвеєрне введення-виведення, при цьому значення затримок власне мікросхем компенсується. Крім того, сучасні процесори мають на кристалі такі обсяги швидкодіючих статичних ОЗУ в кеш-пам'яті другого і навіть третього рівня, що підкачування сторінок між внутрішнім кешем та зовнішнім ОЗУ відбувається досить рідко. Тому в сучасних комп'ютерах швидкодія оперативної пам'яті перестала відігравати визначальну роль.

Головна характеристика швидкодії пам'яті DDR3 – частота передачі по шині даних. Для DDR3 вона може бути в діапазоні від 800 до 2400 МГц. Частота шини вдвічі нижче, оскільки передача даних йде двічі за цикл по обох напрямках тактового сигналу. За рахунок буферизації ще ділиться на 4, тобто сама пам'ять працює на частоті в 4 рази нижче за частоту шини.

Швидкодія модулів вимірюється в мегабайтах за секунду. Оскільки шина має ширину 64 біта або 8 байт в секунду, значення швидкості обміну даними для модуля DDR3 буде в 8 разів більше частоти передачі по шині.

Найповільніший модуль із частотою даних на шині 800 МГц матиме швидкість 2400 МБ на секунду і матиме позначення PC3−2400.

Найшвидший модуль із частотою даних 2400 МГц буде мати швидкість 19200 МБ в секунду і позначення буде виглядати як PC3-19200.

При виборі модуля, треба обов'язково переконатися, що тактова частота шини відповідає тактовій частоті процесорної шини вашого комп'ютера.

Зниження напруги живлення мікросхем

Сучасні мікросхеми виготовляються за технології КМОП. Транзисторний ключ у цій технології складається із двох польових транзисторів, включених за двотактною схемою. У будь-якому стані ключа один транзистор повністю відкритий, інший закритий. У закритому стані польовий транзистор мало пропускає струму. Тобто, у стабільному стані КМОП ключ не споживає струму від джерела живлення. Але затвори польових транзисторів мають ємність. І вона має суттєву величину. При перемиканні ключа відбувається перезаряд ємностей затвора. А конденсатор, як відомо, запасає енергію як електричного поля. І ця енергія пропорційна величинам ємності та напруги.

Отже, треба домогтися роботи мікросхем при якомога нижчій напрузі живлення. В результаті з кожним новим поколінням мікросхем напруга їх харчування зменшується.

• DDR – 2, 5 Ст.
• DDR2 – 1, 8 Ст.
• DDR3 – 1, 5 Ст.
• DDR4 – 1, 2 Ст.

У чому відмінність DDR3 та DDR3l

На ринку можна знайти модулі з мікросхемами DDR3l та DDR3. Різниця в тому, що DDR3L – це модернізована версія DDR3. L означає Low або по-російськи низький, знижений. Мікросхеми DDR3l можуть працювати на зниженій напрузі 1,35 В. Але можуть працювати і при звичайній для DDR3 напрузі 1,5 В. Краще використовувати відповідні модуліза своїм прямим призначенням.

DDR3L може встановлюватися замість DDR3, а навпаки – ні. Якщо напруги живлення модулів пам'яті дорівнює 1,35, то така материнська плата передбачає використання тільки модулів DDR3L, і установка звичайних модулів DDR3 неможлива.